Número de Producto del Fabricante:
TSM650P02CX RFG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM650P02CX RFG-DG
Descripción:
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 4.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23
Inventario:
70113 Pcs Nuevos Originales En Stock
12899597
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ENVIAR
TSM650P02CX RFG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
65mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
800mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.1 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
515 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
TSM650
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
TSM650P02CX RFGCT
TSM650P02CXRFGCT
TSM650P02CX RFGDKR
TSM650P02CXRFGTR
TSM650P02CXRFGDKR
TSM650P02CX RFGCT-DG
TSM650P02CX RFGDKR-DG
TSM650P02CX RFGTR
TSM650P02CX RFGTR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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